而且A4采用差动式结构输入会使S4与S5的电荷注入
栏目:公司新闻 发布时间:2019-04-05 13:28

  随着现代工业的飞速发展,对工况参数的实时监测越来越重要。参数的监测分为电量和非电量两大类,对于非电量参数的测量,测量成功与否主要取决于传感器具有结构简单、功耗低、测量范围大、稳定性好、灵敏度高、使用寿命长及可以进行非接触测量等特点,非常适合在高潮湿、高尘埃、强辐射及超低温等恶劣环境下长期使用,因此,对于某些变化缓慢或微小物理,比较适宜采用电容传感器进行测量。

  目前用于测量微电容的方法主要是交流法,其测量原理是通过激励信号对被测电容连续充放电,形成与被测电容成比例的电压或电流信号,从而测得被测电容值。采用此方法测量的信号中具有脉动噪声,需要通过滤波器滤除其脉动成分,但滤波器的引入将降低测量电路信号采集的速度。所以,本文设计了一种基于电荷放大原理的微电容测量电路,该电路中使用的模拟开关存在电荷注入效应,此效应影响电路的分辨率。为了解决该问题,本文从微电容测量电路中的电荷注入效应入手,对模拟开关的电荷注入效应进行分析,结合单片机对开关时序进行设计,并基于Proteus和Keil软件设计的电路进行仿真,进而检验设计的合理性。

  图中Vin为充放电的激励电压源,CX为传感器两极板之间的电容即待测电容;S1~S5为模拟开关;运放A1、电容Cf、电阻Rf和开关S3构成电荷放大器;开关S4和S5及运放A2和A3构成两个采样保持器,A4为仪表放大器。模拟开关基本上由一个NMOS管和一个PMOS管并联而成,是一种三稳态电路,它可以根据选通端的电平决定输人端与输出端的状态。当选通端处在选通状态时,输出端的状态取决于输入端的状态;当选通端处于截止状态时,则不管输入端电平如何,输出端都呈高阻状态。

  模拟开关的电荷注入效应是影响该电路分辨率的主要因素。电荷注入效应机理主要有两方面:一是由沟道电荷造成的,如图2(a)所示,根据MOS器件的原理,当一个MOS管处于导通状态时,SiO2-Si界面的反型层存储一定电荷量,当开关断开时,电荷通过源端和漏端流出,流入测量电路;二是由栅源间和栅漏间的寄生电容存储的电荷释放流入测量电路造成的[3-4], 如图2(b)所示。由电荷注入效应引起的误差远大于被测量CX的值,引起电荷注入效应。

  首先断开S3,电路只受S3的电荷注入效应影响。当开关S3断开时,由于电荷注入效应,电荷将流向A1的输出端和反相输入端,流向A1输出端的电荷产生的影响很小,仅引起输出波形的瞬时微小失线反相输入端的电荷对测量结果产生影响,但A4采用差动式设计较好地解决了这部分的影响。

  对开关S1与S2的电荷注入效应。由图3可知S2关断时间晚于S3,S1关断时间晚于S2。S2断开时的电荷注入效应引起V1点较小的波形失线被置为输入电压Vin,因此,被测电容Cx上的电压不受S2的电荷注入效应影响;S1断开时的注入电荷,会沿着已闭合的开关S2流向地,S1不会对被测电容Cx产生影响。所以,S1和S2对输出基本不产生影响。

  对开关S4与S5的电荷注入效应。S4与S5在断开时,产生的电荷注入效应会使A2和A3的输出波形有微小失真,但相对于输出值较小,可以忽略,而且A4采用差动式结构输入会使S4与S5的电荷注入效应相互抵消,故S4与S5的电荷注入效应不会对最终的输出Vo产生影响。

  由以上分析可知,通过合理设计模拟开关控制时序,解决了其关断时引入的电荷注入效应。

  Keil是德国Keil公司开发的单片机编译器。Keil C51是目前最流行的51单片机开发工具,现在Keil公司的编译器有支持经典80C51和80C51派生产品的版本。新版本μVision2把μVision1用的模拟调试器dScope与集成开发环境无缝地结合起来,界面更友好,使用更方便,支持的单片机品质更多。对于使用C语言进行单片机开发的用户,Keil C51已成为必备的开发工具。

  Keil C51软件是众多单片机应用开发的优秀软件之一,Keil C51提供了一个集成开发环境IDE(Intergrated Development Environment)?滋Vision,包括C51编译器、宏汇编、连接器、库管理和一个功能强大的仿真调试器,支持汇编、PLM语言和C语言的程序设计,界面友好,易学易用。在开发应用软件的过程中,编辑、编译、汇编、连接、调试等各阶段都集成在一个环境中,先用编辑器编写程序,再调用编译器进行编译,连接后即可直接运行[5,6]。

  Proteus嵌入式系统仿真与开发平台是由英国Labcenter Electronics公司开发的,是目前世界上最先进、最完整的嵌入式系统设计与仿真平台,是目前唯一能够对各种微处理器进行实时仿真、调试与测试的EDA工具。Proteus除了具有和其他EDA工具一样的原理布图、PCB自动或人工布线及电路仿真的功能外,最大的特点在于其电路仿真是互动的,针对微处理器的应用还可以直接在基于原理图的虚拟原型上编程,真正实现了没有硬件目标原形的情况下对系统的调试、测试、验证,并实现软件源码级的实时调试,如有显示及输出,还能看到运行后输入输出的效果,配合系统配置的虚拟仪器如示波器、逻辑分析仪等,建立了一个完备的电子设计开发环境。Proteus产品系列可以对基于微控制器的设计连同所有的外围电子器件仪器仿真,用户甚至可以实时采用诸如LED/LCD、键盘、RS232终端等动态外设模型来对设计进行交互仿真。

  Proteus是一款电路分析与实物仿真软件,运行于Windows操作系统上,具有实验资源丰富、实验周期短、硬件投入少、实验过程损耗小、与实际设计接近程度大等特点。

  开关时序设计原理图如图4所示,图中采用80C51芯片,其中管脚XTAL1、XTAL2接时钟控制器,RST端上电,5个输出管脚P1.0~P1.4分别控制开关S1、S2、S3、S4和S5,电源VCC为+5 V的直流电源。

  编写好程序代码后将该程序文件加载到当前项目中进行编译,编译通过后进行仿真。单击Debug菜单下的Go菜单项连续运行程序,再切换至Proteus界面,可看到电路开始仿线所示,实现了预期功能。

  通过对仿真结果和LED实时动作情况的分析,验证了整个系统的程序与外围电路设计的正确性,提高了调试效率。采用该仿真设计方法可以大大简化硬件电路测试和系统调试过程,而且使用该方法进行系统虚拟开发成功后再进行实际制作,可以提高开发效率,降低开发成本,提升开发速度。

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  TMUX6111,TMUX6112和TMUX6113器件是现代化的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,具有四个独立的可选单刀单掷(SPST)开关。该器件在双电源(±5V至±16.5V),单电源(10V至16.5V)或非对称电源供电时均能正常运行。所有数字输入均具有兼容晶体管到晶体管逻辑(TTL)的阈值,这些阈值可确保TTL /CMOS逻辑兼容性。 逻辑0会打开TMUX6111中数字控制输入上的开关。要打开TMUX6112中的开关,则需要逻辑1.TMUX6113有两个开关的数字控制逻辑与TMUX6111类似,而另外两个开关上的逻辑则与之相反.TMUX6113具有先断后合开关,因此可用于交叉点开关应用。 TMUX611x器件是德州仪器(TI)这些器件具有非常低的泄漏电流和电荷注入,因此可用于高精度测量应用。这些器件的电源电流低至17μA,因此可用于便携式应用。 特性 宽电源电压范围:±5V至±16.5V(双), 10V至16.5V(单) 所有引脚的闩锁性都能达到100mA,符合JESD78 II类A级要求 低导通电容:4.2pF 低输入泄漏:0.5pA

  低电荷注入:0.6pC 轨至轨运行 低导通电阻:120Ω 快速开关开启时间:66ns

  TMUX6136是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟开关,包含两个独立可选SPDT开关。该器件在双电源(±5V)至±16.5V),单电源(10V至16.5V)或非对称电源供电时均能正常运行。数字选择引脚(SELx)具有兼容晶体管到晶体管逻辑(TTL)的阈值,这些阈值可确保TTL /CMOS逻辑兼容性。 TMUX6136会根据SELx引脚的状态将两个输入(Sx)之一切换为共模输出(D)。每个开关在“ON”位置时在两个方向上表现得都很好,而且支持最高到电源的输入信号范围。在OFF状态下,则会阻止最高到电源的信号电平。所有开关都具有先断后合(BBM)开关操作。 TMUX6136是德州仪器(TI)精密开关和多路复用器系列中的一款产品。该器件具有非常低的泄漏电流和电荷注入,因此可用于高精度测量应用。当开关处于OFF位置时,该器件还可通过阻断到达电源信号电平来提供出色的隔离能力.17μA的低电源电流使其可用于多种便携式应用。 特性 宽电源电压范围:±5V 至 ±16.5V(双电源)或 10V 至 16.5V(单电源)所有引脚的闩锁性都能达到 100mA,符合 JESD78 II 类 A 级要求 低导通电容:5.5pF低输入泄漏:0.5pA低电荷注入:-0...

  TMUX6121,TMUX6122和TMUX6123是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,具有两个可独立选择的单刀单掷(SPST)这些器件适用于双电源(±5 V至±16.5 V),单电源(10 V至16.5 V),对称电源。所有数字输入都具有晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容阈值,确保TTL和CMOS逻辑兼容。 开关通过TMUX6121中数字控制输入上的逻辑1打开。逻辑0需要打开TMUX6122中的开关。 TMUX6123的一个开关具有与TMUX6121类似的数字控制逻辑,而逻辑在另一个开关上反相。 TMUX6123禁止先断后合切换,允许器件用于交叉点切换应用。 TMUX6121,TMUX6122和TMUX6123是器件精密开关和多路复用器系列的一部分。该器件具有极低的漏电流和低电荷注入,使其可用于高精度测量应用。 16μA的低电源电流可实现便携式应用中的设备使用。 特性 宽电源范围:±5 V至±16.5 V(双通道)或10 V至16.5 V(单通道) 闩锁性能在所有引脚上符合JESD78 II类A级100 mA 低导通电容:4.2 pF 低输入泄漏:0.5 pA 低电荷注入:0.51 pC 轨到轨操作 低导通电阻:120Ω 快速开关导通时间:68 ns 先断后合(TMUX6123) SE...

  TMUX1574是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)开关.TMUX1574提供具有4个通道的2:1 SPDT开关配置.1.5V至5.5 V的宽运行电源电压范围使其可用于从服务器和通信设备到工业应用的各种应用的需求。该器件可在源极(SxA,SxB)和漏极(Dx)引脚上支持双向模拟和数字信号,并且可以传递高于电源的信号(高达V DD x 2),最大值为5.5V。 TMUX1574的信号路径上高达3.6V的关断保护可在移除电源电压(V DD = 0V)时提供隔离。如果没有该保护功能,开关可通过内部ESD二极管为电源轨进行反向供电,从而对系统造成潜在损坏。 失效防护逻辑电路允许在施加电源引脚上的电压之前,先施加逻辑控制引脚上的电压,从而保护器件免受潜在的损害。所有控制输入都具有兼容1.8V逻辑的阈值,当器件在有效电源电压范围内运时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。 特性 宽电源范围:1.5V 至 5.5V低导通电容:7.5pF低导通电阻:2Ω高带宽:1.5GHz-40°C 至 +125°C 运行温度 兼容 1.8V 逻辑支持超出电源的输入电压双向信号路径失效防护逻辑 高达 3.6V 信号的关断保护 与 SN74CBTLV3257 引脚兼容 All trademarks are the pr...

  TMUX6119是一款现代互补金属氧化物半导体(CMOS)单刀双掷(SPDT)。这些器件在双电源(±5V至±16.5V) ),单电源(10V至16.5V)或不对称电源(例如V DD = 12V,V SS = -5V)供电情况下运行良好。所有数字输入均具有兼容晶体管到晶体管逻辑(TTL)的阈值,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。 可以通过控制EN引脚来启用或禁用TMUX6119。当​​禁用时,两个通道都关闭。当启用时,SEL引脚可用于打开通道A(SA至D)或通道B(SB至D)。每个通道在两个方向上都表现得很好,而且具有可热展到电源的输入信号范围.TMUX6119的开关具有先断后合(BBM)开关行为,因此该器件可用于多路复用器应用。 TMUX6119具有非常低的导通和关断泄漏电流以及超低的电荷注入,因此该器件可用于高精度测量应用。当开关处于OFF位置时,该器件还可通过阻断到达电源的信号电平来提供出色的隔离能力。电源电流低至17μA,使得该器件可用于便携式应用。 特性 低导通电容:5.0pF 低泄漏电流:1pA 低电荷注入:0.3pC 轨至轨运行 宽电源电压范围:±5V至±16.5V,10V至16.5V 低导通电阻:125Ω 转换时间:80...

  TMUX1208为通用互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(MUX).TMUX1208提供8:1单端通道.1.08V至5.5V的宽运行电源电压范围使其可用于从个人电子产品到楼宇自动化应用的各种应用。该器件可在源极(Sx)和漏极(D)引脚上支持从GND到VDD 范围的双向模拟和数字信号。 所有逻辑输入均具有兼容1.8V逻辑的阈值,当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。失效防护逻辑电路允许在电源引脚之前的控制引脚上施加电压,从而保护器件免受潜在的损害。 特性 轨至轨运行 双向信号路径 低导通电阻:5Ω 宽电源电压范围:1.08V至5.5V -40°C至+ 125°C运行温度 兼容1.8V逻辑 失效防护逻辑 低电源电流:10nA 转换时间:14ns 先断后合开关操作 ESD保护HBM: 2000V 行业标准TSSOP和QFN封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of channels (#) Power supply type Vss (Min) (V) Vss (Max) (V) Vdd (Min) (V) Vdd (Max) (V) Ron (Typ) (Ohms) Bandwidth (MHz) Rating Operati...

  TMUX1511是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)开关.TMUX1511提供具有4个独立控制通道的1:1 SPST开关配置.1.5V至5.5V的宽运行电源电压范围使其可用于从服务器和通信设备到工业应用的各种应用的需求。该器件可在源极(Sx)和漏极(Dx)引脚上支持双向模拟和数字信号,并且可以传递高于电源的信号(高达V DD x 2),最大输入/输出电压为5.5V。 TMUX1511的信号路径上高达3.6V的关断保护可在移除电源电压(V DD = 0V)时提供隔离。如果没有该保护功能,开关可通过内部ESD二极管为电源轨进行反向供电,从而对系统造成潜在损坏。 失效防护逻辑电路允许在施加电源引脚上的电压之前,先施加逻辑控制引脚上的电压,从而保护器件免受潜在的损害。所有逻辑控制输入都具有兼容1.8V逻辑的阈值,当器件在有电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。 特性 宽电源电压范围:1.5V 至 5.5V 低导通电容:3.3pF低导通电阻:2Ω高带宽:3GHz-40°C 至 +125°C 运行温度 兼容 1.8V 逻辑支持超出电源的输入电压逻辑引脚上的集成下拉电阻器双向信号路径失效防护逻辑 关断保护 高达 3.6V 与 SN74CBTLV3126 ...

  TMUX1108是精密互补金属氧化物半导体(CMOS)多路复用器(MUX).TMUX1108提供单通道8:1配置.1.08V至5.5V的宽运行电源范围使其可用于从医疗设备到工业系统的各种应用。该器件可在源极(Sx)和漏极(D)引脚上支持从GND到V DD范围的双向模拟和数字信号。所有逻辑输入均具有兼容1.8V逻辑的阈值,当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。失效防护逻辑电路允许在电源引脚之前的控制引脚上施加电压,从而保护器件免受潜在的损害。 TMUX1108是精密开关和多路复用器件系列的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断泄漏电流以及较低的电荷注入,因此可用于高精度测量应用.8nA的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式应用。 特性 宽电源范围:±2.5V,1.08V至5.5V 低泄漏电流:3pA 低电荷注入:1pC 低导通电阻:2.5Ω -40°C至+ 125°C运行温度 兼容1.8V逻辑 失效防护逻辑 轨至轨运行 双向信号路径 先断后合开关操作 ESD保护HBM:2000V 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of channels...

  TMUX6121,TMUX6122和TMUX6123是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,具有两个可独立选择的单刀单掷(SPST)这些器件适用于双电源(±5 V至±16.5 V),单电源(10 V至16.5 V),对称电源。所有数字输入都具有晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容阈值,确保TTL和CMOS逻辑兼容。 开关通过TMUX6121中数字控制输入上的逻辑1打开。逻辑0需要打开TMUX6122中的开关。 TMUX6123的一个开关具有与TMUX6121类似的数字控制逻辑,而逻辑在另一个开关上反相。 TMUX6123禁止先断后合切换,允许器件用于交叉点切换应用。 TMUX6121,TMUX6122和TMUX6123是器件精密开关和多路复用器系列的一部分。该器件具有极低的漏电流和低电荷注入,使其可用于高精度测量应用。 16μA的低电源电流可实现便携式应用中的设备使用。 特性 宽电源范围:±5 V至±16.5 V(双通道)或10 V至16.5 V(单通道) 闩锁性能在所有引脚上符合JESD78 II类A级100 mA 低导通电容:4.2 pF 低输入泄漏:0.5 pA 低电荷注入:0.51 pC 轨到轨操作 低导通电阻:120Ω 快速开关导通时间:68 ns 先断后合(TMUX6123) SE...

  TMUX6121,TMUX6122和TMUX6123是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,具有两个可独立选择的单刀单掷(SPST)这些器件适用于双电源(±5 V至±16.5 V),单电源(10 V至16.5 V),对称电源。所有数字输入都具有晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容阈值,确保TTL和CMOS逻辑兼容。 开关通过TMUX6121中数字控制输入上的逻辑1打开。逻辑0需要打开TMUX6122中的开关。 TMUX6123的一个开关具有与TMUX6121类似的数字控制逻辑,而逻辑在另一个开关上反相。 TMUX6123禁止先断后合切换,允许器件用于交叉点切换应用。 TMUX6121,TMUX6122和TMUX6123是器件精密开关和多路复用器系列的一部分。该器件具有极低的漏电流和低电荷注入,使其可用于高精度测量应用。 16μA的低电源电流可实现便携式应用中的设备使用。 特性 宽电源范围:±5 V至±16.5 V(双通道)或10 V至16.5 V(单通道) 闩锁性能在所有引脚上符合JESD78 II类A级100 mA 低导通电容:4.2 pF 低输入泄漏:0.5 pA 低电荷注入:0.51 pC 轨到轨操作 低导通电阻:120Ω 快速开关导通时间:68 ns 先断后合(TMUX6123) SE...

  TMUX6111,TMUX6112和TMUX6113器件是现代化的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,具有四个独立的可选单刀单掷(SPST)开关。该器件在双电源(±5V至±16.5V),单电源(10V至16.5V)或非对称电源供电时均能正常运行。所有数字输入均具有兼容晶体管到晶体管逻辑(TTL)的阈值,这些阈值可确保TTL /CMOS逻辑兼容性。 逻辑0会打开TMUX6111中数字控制输入上的开关。要打开TMUX6112中的开关,则需要逻辑1.TMUX6113有两个开关的数字控制逻辑与TMUX6111类似,而另外两个开关上的逻辑则与之相反.TMUX6113具有先断后合开关,因此可用于交叉点开关应用。 TMUX611x器件是德州仪器(TI)这些器件具有非常低的泄漏电流和电荷注入,因此可用于高精度测量应用。这些器件的电源电流低至17μA,因此可用于便携式应用。 特性 宽电源电压范围:±5V至±16.5V(双), 10V至16.5V(单) 所有引脚的闩锁性都能达到100mA,符合JESD78 II类A级要求 低导通电容:4.2pF 低输入泄漏:0.5pA

  低电荷注入:0.6pC 轨至轨运行 低导通电阻:120Ω 快速开关开启时间:66ns

  TMUX1104是精密互补金属氧化物半导体(CMOS)多路复用器(MUX).TMUX1104提供单通道4:1配置.1.08V至5.5V的宽运行电源电压范围使其可用于从医疗设备到工业系统的各种应用。该器件可在源极(Sx)和漏极(D)引脚上支持从GND到V DD 范围的双向模拟和数字信号。所有逻辑输入均具有兼容1.8V逻辑的阈值,当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。失效防护逻辑电路允许在电源引脚之前的控制引脚上施加电压,从而保护器件免受潜在的损害。 TMUX1104是精密开关和多路复用器器系列的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断泄漏电流以及较低的电荷注入,因此可用于高精度测量应用.8nA的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式应用。 特性 宽电源电压范围:1.08V至5.5V 低泄漏电流:3pA 低电荷注入:1.5pC 低导通电阻:2.5Ω -40°C至+ 125°C运行温度 兼容1.8V逻辑

  失效防护逻辑 轨至轨运行 双向信号路径 先断后合开关操作 ESD保护HBM:2000V 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of channe...

  TMUX6111,TMUX6112和TMUX6113器件是现代化的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,具有四个独立的可选单刀单掷(SPST)开关。该器件在双电源(±5V至±16.5V),单电源(10V至16.5V)或非对称电源供电时均能正常运行。所有数字输入均具有兼容晶体管到晶体管逻辑(TTL)的阈值,这些阈值可确保TTL /CMOS逻辑兼容性。 逻辑0会打开TMUX6111中数字控制输入上的开关。要打开TMUX6112中的开关,则需要逻辑1.TMUX6113有两个开关的数字控制逻辑与TMUX6111类似,而另外两个开关上的逻辑则与之相反.TMUX6113具有先断后合开关,因此可用于交叉点开关应用。 TMUX611x器件是德州仪器(TI)这些器件具有非常低的泄漏电流和电荷注入,因此可用于高精度测量应用。这些器件的电源电流低至17μA,因此可用于便携式应用。 特性 宽电源电压范围:±5V至±16.5V(双), 10V至16.5V(单) 所有引脚的闩锁性都能达到100mA,符合JESD78 II类A级要求 低导通电容:4.2pF 低输入泄漏:0.5pA

  低电荷注入:0.6pC 轨至轨运行 低导通电阻:120Ω 快速开关开启时间:66ns

  TMUX1109是精密互补金属氧化物半导体(CMOS)多路复用器(MUX)。 TMUX1109提供差分4:1或双4:1单端通道。 1.08 V至5.5 V的宽工作电源允许用于从医疗设备到工业系统的各种应用。该器件支持源(Sx)和漏(D)引脚上的双向模拟和数字信号,范围从GND到V DD 。所有逻辑输入均具有1.8 V逻辑兼容阈值,确保在有效电源电压范围内工作时TTL和CMOS逻辑兼容。故障安全逻辑电路允许控制引脚上的电压施加在电源引脚之前,从而保护器件免受潜在损坏。 TMUX1109是精密开关和多路复用器系列的一部分。这些器件具有极低的开关漏电流和低电荷注入,使其可用于高精度测量应用。 8nA的低电源电流和小型封装选项可用于便携式应用。 特性 单电源范围:1.08 V至5.5 V 双电源范围:±2.75 V 低漏电流:3 pA 低电荷注入:1 pC 低导通电阻:1.8Ω -40°C至+ 125°C工作温度 1.8 V逻辑兼容 故障保护逻辑 轨到轨操作 双向信号路径Break-Before-Make Switching ESD保护HBM:2000 V 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of channels (#) ...

  TMUX1119是一种互补金属氧化物半导体(CMOS)单刀双掷(2:1)开关。 1.08 V至5.5 V的宽工作电源允许在医疗设备和工业系统等国外应用中使用。该器件支持源(Sx)和漏(D)引脚上的双向模拟和数字信号,范围从GND到V DD 。所有逻辑输入均具有1.8 V逻辑兼容阈值,确保在有效电源电压范围内工作时TTL和CMOS逻辑兼容。故障安全逻辑电路允许控制引脚上的电压施加在电源引脚之前,从而保护器件免受潜在损坏。 TMUX1119是精密开关和多路复用器系列的一部分。这些器件具有极低的开关漏电流和低电荷注入,使其可用于高精度测量应用。 3 nA的低电源电流和小型封装选项可用于便携式应用。 特性 宽电源范围:1.08 V至5.5 V 低漏电流:3 pA 低导通电阻:1.8Ω 低电荷注入:-6 pC -40°C至+ 125°C工作温度 1.8 V逻辑兼容 故障保护逻辑 轨到轨操作 双向信号路径 先断后合切换ESD保护HBM:2000 V 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of channels (#) Power supply type Vss (Min) (V) Vss (Max) (V) Vdd (Min) (V) Vdd (Max) (...

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  请注意模拟开关和多路复用器,它们是信号通道的关键元件。设计人员应当了解这些重要模拟部件的应用和规格...

  TS5USBC400是一种双向低功耗双端口高速USB 2.0模拟开关,具有针对USB Type-C系统的集成保护功能。该器件配置为双路2:1或1:2开关,并经过了优化,能够应对USB Type-C系统中的USB 2.0 D +/-线在I /O引脚上的TS5USBC400采用小型12引脚DSBGA封装,使其成为移动应用和空间受限型应用中保护功能可承受高达16V的电压的杂音问题。中对于高效率,高电源密度和稳健性的需求。 特性 电源范围:2.3V至5.5V 差分2:1或1:2开关/多路复用器 公共引脚上具有0V至16V过压保护(OVP) V CC = 0V时具有断电保护较低的R ON (最大值为9) 典型带宽为1.1GHz 典型的C ON 为4.5pF 低功耗禁用模式 1.8V兼容型逻辑输入 ESD保护性能超出JESD 22标准 2000V人体模型(HBM) TS5USBC400:标准温度范围为 0C至70C ...

  TS5V522C是高带宽模拟开关,可为VGA信号开关提供2:2双图形交叉解决方案。该器件支持2个VGA信号源的开关,可以在膝上型电脑中将信号指向两个目的位置中的一个.TS5V522C集成5个针对RGB信号的极高性能380 Mhz(典型值)SPDT开关,2对适用于HSYNC与VSYNC线路的电平转换缓冲器以及集成型ESD保护.5个交叉开关均可通过5 V或3.3 V TTL控制信号控制。 TS5V522C能够以更少的失真将VGA模拟信号带到目标位置。通道(SCA,SCL)可能需要VGA连接器上+5 Vopen的漏级,而且可能还需要在目标端上提供上拉电容器.TS5V522C数据端上的有源下冲保护电路可感测下冲事件并确保在适当关闭状态下进行开关,从而可对低至-2 V的下冲事件提供保护。 要在上电或关断过程中确保高阻抗状态, OE 必须通过上拉电阻器的V CC 进行控制;驱动器电流吸收性能可检测电阻器最小值。 特性 双向数据流,支持近零传播延迟 高带宽,380MHZ(典型值)RGB开关 低导通阻抗(ron)特性(ron =3典型值) 低输入/输出...

  TMUX1072是一款高速双通道2:1模拟开关,具有集成的高压检测和断电保护功能。这是一个双向器件,可用作2:1或1:2开关。 TMUX1072在I /O引脚上的保护功能可承受高达20V的电压,并配备自动关闭电路来保护开关后面的系统组件。保护功能还用于电源定序,即系统中的某些电路板可能会在其他电路板准备好接收信号之前通电。该器件还会检测过压和过热事件,并通过FLT引脚提供漏极开路输出信号。 特性 电源范围:2.3V至5.5V 关断保护,当V CC = 0V时,I /O引脚处于高阻抗状态 过压和过热检测 公共引脚上具有0V至20V过压保护(OVP) 低至6的R ON 典型带宽为1.2GHz 典型的C ON 为4.5pF

  低功耗禁用模式 1.8V兼容型逻辑输入 ESD保护性能超出JESD22标准 2000V人体放电模型(HBM) 可提供小型2.00mm x 1.70mm QFN封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 ...

  TMUX154E是一款高带宽2:1开关,专门针对限制I /O的应用中的高速信号开关进行设计。此开关具有较宽的带宽(900MHz),这一特性使得信号传递具有最少的边缘失真和相位失真。此开关为双向开关,高速信号衰减极少或者没有。它能实现低位间偏移和高通道间噪声隔离。 /p>

  TMUX154E在所有引脚上集成了ESD保护单元,采用微型UQFN封装(1.8mm×1.4mm)或VSSOP封装,自然通风条件下的工作温度范围为-40°C至85°C 。 特性 V CC 工作电压为3V至4.3V I /O引脚可耐受电压高达5.25V的电压 兼容1.8V控制逻辑 支持关断保护,当V CC = 0V时,I /O引脚处于高阻抗状态 R ON =10Ω(最大值) ΔR ON =0.35Ω(典型值) C io(ON) = 7.5pF(典型值) 低功耗(最大值为1uA) - 3dB带宽= 900MHz(典型值) 闩锁性能超过 ESD)性能测试符合JESD 22标准 8000V人体放电模型(A114-B,II类) 1000V充电器件模型(C101) ESD性能I /O端口接地(2) 15000V人体放电模型 (1) EN 和SEL输入除外 (2)标准HBM测试(A114-B,II类)外部执行了高压HB...

  TMUX6104是一款现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器.TMUX6104提供4:1单端开关功能,并且使用双电源(±5V至±18V)和单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。此外,该器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能所有数字输入均具有兼容TTL逻辑的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。 TMUX6104具有非常低的导通和关断泄漏电流以及超低的电荷注入,因此该器件可用于高精度测量应用中,低功耗是一个关键问题。当开关处于OFF位置时,该器件还可通过阻断到达电源的信号电平来提供出色的隔离能力。电源电流低至17μA,使得该器件可用于便携式应用中,中对于效率,高电源密度和稳健性的需求。 特性 低导通电容:5pF 低输入泄漏:1pA 低电荷注入: 0.35pC 轨至轨运行 宽电压范围:±5V至±18V(双电源)或10V至36V(单电源) 低导通电阻:125Ω 转换时间:88ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连(集成下拉电阻器) 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流...

  MUX506和MUX507(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(MUX).MUX506提供16:1单端通道,而MUX507提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX506和MUX507在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX507和MUX507的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于功耗敏感型应用。 特性 低导通电容 MUX506:13.5pF MUX507:8.7pF 低输入泄漏:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:97ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA ESD保护HBM:20...

  MUX36S08和MUX36D04(MUX36xxx)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX36S08提供8:1单端通道,而MUX36D04提供差动4:1或双4:1单端通道.MUX36S08和MUX36D04在双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。它们在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该MQ36S08和MUX36D04的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差源的信号。仅为45μA的低电源电流支持其应用于便携式应用的理想选择。 特性 低导通电阻 MUX36S08:9.4pF MUX36D04:6.7pF 低泄漏电流:1pA的 低电荷注入:0.3pC 轨至轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:92ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA ESD保护HBM:2000V 行业标准TSSOP封装和更小型的WQ...

  MUX508和MUX509(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX508提供8:1单端通道,而MUX509提供4:1差分通道或双4:1单端通道。 MUX508和MUX509在双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。两种器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V,V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可确保TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX508和MUX509这两款多路复用器的导通和关断泄漏电流都非常低,因此能够以最小误差切换高输入阻抗源信号。该器件的电源电流低至45μA,因此适用于便携式进行VTT放电。 特性 低导通电容 MUX508:9.4pF MUX509:6.7pF 低输入泄漏电流:10pA 低电荷注入:0.3pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:92ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 人体放电...

  MUX36S16和MUX36D08(MUX36xxx)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX36S16提供16:1单端通道,而MUX36D08提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX36S16和MUX36D08在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX36S16和MUX36D08的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于便携式应用。 特性 低导通电容 MUX36S16:13.5pF MUX36D08:8.7pF 低泄漏电流:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:85ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:4...

  MUX506和MUX507(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(MUX).MUX506提供16:1单端通道,而MUX507提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX506和MUX507在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX507和MUX507的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于功耗敏感型应用。 特性 低导通电容 MUX506:13.5pF MUX507:8.7pF 低输入泄漏:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:97ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA ESD保护HBM:20...

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